特許
J-GLOBAL ID：200903074369882880
有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-513224
公開番号（公開出願番号）：特表2007-537600
出願日： 2005年05月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。【解決手段】 有機金属気相成長法(MOCVD)を用いる非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)膜ならびに非極性InGaNを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性InGaN/GaN紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)系ヘテロ構造物およびデバイスを製作する方法であって、
(a)滑らかで低い欠陥密度のIII族窒化物基板またはテンプレートを準備する工程、
(b)前記基板またはテンプレート上に一つ以上の非極性InGaN層を成長させる工程、
(c)後に続く層の成長中にInが脱離することを防ぐために前記非極性InGaN層上に薄い低温窒化物キャッピング層を成長させる工程、および
(d)前記キャッピング層上に低圧で一つ以上の非極性n型およびp型(Al、Ga)N層を成長させる工程
を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 5/343
H01L33/00 C
, H01L21/205
, H01S5/343 610
5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA92
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AF09
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DB02
, 5F173AF04
, 5F173AF20
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP24
, 5F173AQ12
, 5F173AQ13
, 5F173AQ14
, 5F173AR81
