半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：前田弘 , 小山廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102344
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040788
特許番号：特許第4376348号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板に形成された第2導電型の第1の高濃度拡散層と、前記半導体基板に前記第1の高濃度拡散層と間隔をおいて形成され、基準電圧が印加される第2導電型の第2の高濃度拡散層と、入力回路又は入出力回路に入力信号を入力するための入力パッドと前記第1の高濃度拡散層とを電気的に接続する導電層と、前記半導体基板における前記第1の高濃度拡散層の直下の領域に形成された第2導電型の第1の低濃度拡散層とを備え、前記第1の高濃度拡散層は、前記第2の高濃度拡散層と対向する領域から外側に延びる非対向部を有し、前記導電層と前記非対向部とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：