光半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243762
特許番号：特許第3986196号
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】互いに対向したアライメントマークを有する一対の被ボンディング物のそれぞれの厚さを測定し、前記一対の被ボンディング物の一方の位置を赤外線カメラで認識した後に、前記一対の被ボンディング物の他方の位置を前記赤外線カメラで認識して前記アライメントマーク同士のアライメントを行う光半導体装置の製造方法であって、前記アライメント時の前記一対の被ボンディング物同士の間隔は、前記被ボンディング物のそれぞれの厚さと前記被ボンディング物のそれぞれの位置とにより、前記一対の被ボンディング物同士が互いに接触しない範囲内で前記赤外線カメラの焦点深度以下に制御され、前記被ボンディング物の厚さは、反射型レーザ変位計によって測定されることを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/52 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/52 F

引用特許：

審査官引用 (14件)

複合光学素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050461 出願人：日本電信電話株式会社
特開平1-105106
電子部品搭載装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-077000 出願人：シチズン時計株式会社

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