特許
J-GLOBAL ID：201103040724862085
無電解金めっき方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226672
特許番号：特許第4038917号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法において、素材上に形成する無電解ニッケルめっき膜表面の十点平均粗さを0.5μmから1.5μmとすることを特徴とする無電解金めっき方法。
IPC (3件)：
C23C 18/42 ( 200 6.01)
, C23C 18/34 ( 200 6.01)
, H05K 3/34 ( 200 6.01)
C23C 18/42
, C23C 18/34
, H05K 3/34 501 F
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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