特許
J-GLOBAL ID：201103041352927912

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

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須沢 英臣

須沢 英臣 について

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笹川 慎也

笹川 慎也 について

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倉田 求

倉田 求 について

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三上 真弓

三上 真弓 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-008133
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171721
出願日： 2011年01月18日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第1の導電層と、第1の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第2の導電層と、を含む半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、 前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、 前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、 前記ソース電極または前記ドレイン電極は、第1の導電層と、前記第1の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第2の導電層と、を含む半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B
Fターム (77件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK50 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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