窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232236
特許番号：特許第3271661号
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、アンドープGaNとアンドープInpGa1-pN(0<p≦0.5)とが積層されてなる超格子構造のn型多層膜層を前記n型窒化物半導体に含み、AlxGa1-xN(0<x<1)とInyGa1-yN(0≦y<1)とが積層されてなる超格子構造のp型多層膜層を前記p型窒化物半導体に含み、前記n型多層膜層の層数と前記p型多層膜層の層数とは異なることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：