ハードマスク材料

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-256165
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139033
出願日： 2010年11月16日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約-600MPaから600MPaの範囲内であり、硬度は少なくとも約12Gpaである。ハードマスク膜は、PECVD処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy、およびBxNyから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約60原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いGeNxハードマスク材料を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板にハードマスク膜を形成する方法であって、プラズマ化学気相成長(PECVD)処理チャンバに半導体基板を挿入する段階と、硬度が約12GPaよりも高く且つ応力が約-600MPaから600MPaの範囲内であるハードマスク膜をPECVDによって形成する段階と備え、前記ハードマスク膜をPECVDによって形成する段階は、高密度化プラズマ処理を複数回実行することによって、ドープされている多層シリコンカーバイド膜またはドープされていない多層シリコンカーバイド膜を成膜する段階(i)と、 SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxNy、およびBxCyから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を成膜する段階(ii)とから成る群から選択される処理を有する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/768 , H01L 21/306 , C23C 16/42 , C23C 16/56 , H01L 21/28 , H01L 21/321 , H01L 23/522

FI (7件)：

H01L21/90 A , H01L21/302 105A , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/28 E , H01L21/88 D , H01L21/90 K

Fターム (72件)：

4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030BA37 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104HH14 , 5F004AA04 , 5F004BA04 , 5F004EA03 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ00 , 5F033QQ02 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ30 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR29 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW07 , 5F033WW09 , 5F033XX15 , 5F033XX19

引用特許：

審査官引用 (6件)

炭化ケイ素膜のデュアルプラズマ処理
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-273772 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
シリコンカーバイド膜を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-031571 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
低K誘電層を処理して拡散を減少させる方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-215713 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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