半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213345
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066067
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：

【課題】簡易なプロセスで、高い埋め込み性を確保する必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板SUBの表面に、ソース領域SOおよびドレイン領域DRを有する高耐圧横型MOSトランジスタが完成される。そのトランジスタを平面視において取り囲む溝DTRが半導体基板SUBの表面に形成される。そのトランジスタ上を覆うように、かつ溝DTR内に中空SPを形成するようにトランジスタ上および溝DTR内に絶縁膜IIAが形成される。層間絶縁膜IIにトランジスタのソース領域SOおよびドレイン領域DRの各々に達するコンタクトホールCHが形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に、導電部分を有する素子を完成する工程と、前記素子を平面視において取り囲む第1の溝を前記半導体基板の主表面に形成する工程と、前記素子上を覆うように、かつ前記第1の溝内に中空を形成するように前記素子上および前記第1の溝内に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記素子の導電部分に達する孔を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/76 , H01L 27/06 , H01L 21/824 , H01L 21/764 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/10 , H01L 27/08

FI (7件)：

H01L21/76 L , H01L27/06 321C , H01L21/76 A , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 481 , H01L27/08 331A

Fターム (72件)：

5F032AA34 , 5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA77 , 5F032AC02 , 5F032BA01 , 5F032BA02 , 5F032BA03 , 5F032BB01 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032CA21 , 5F032CA24 , 5F032DA02 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA78 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048AC06 , 5F048BA03 , 5F048BA04 , 5F048BA05 , 5F048BA06 , 5F048BA12 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE01 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG02 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048BH01 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083HA07 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083ZA03 , 5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BD27 , 5F101BD34 , 5F101BD35

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-376727 出願人：ソニー株式会社
相補型バイポーラ半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-149641 出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-196359 出願人：株式会社東芝

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