特許
J-GLOBAL ID：201103045307057678

セラミックス膜の製造方法、強誘電体素子及び電子部品

発明者：
下田 達也

下田 達也 について

, 
李 金望

李 金望 について

, 
亀田 博之

亀田 博之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について

, 
株式会社ADEKA

株式会社ADEKA について


代理人 (6件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-239488
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086819
出願日： 2009年10月16日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】特定方向に優先配向したセラミックス膜を低温で形成することが可能なセラミックス膜の製造方法を提供する。【解決手段】PbZrxTi1-xO3(式中、xは0〜0.6である)の前駆体溶液を基板1に塗布した後、300°C以下の温度で乾燥させて前駆体膜を形成する工程と、前記前駆体膜中の2価の鉛イオン(Pb2+)を0価の鉛(Pb0)に還元してパイロクロア相の生成を抑制した後、酸化性雰囲気中で低温焼成してペロブスカイト相を生成させる工程とを含むことを特徴とするセラミックス膜3の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PbZrxTi1-xO3(式中、xは0〜0.6である)の前駆体溶液を基板に塗布した後、300°C以下の温度で乾燥させて前駆体膜を形成する工程と、 前記前駆体膜中の2価の鉛イオン(Pb2+)を0価の鉛(Pb0)に還元してパイロクロア相の生成を抑制した後、酸化性雰囲気中で低温焼成してペロブスカイト相を生成させる工程と を含むことを特徴とするセラミックス膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  C04B 35/49
FI (6件)：
H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L21/316 B ,  C04B35/49 A
Fターム (19件)：
4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM