特許
J-GLOBAL ID：201103045598562668
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099796
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057460
特許番号：特許第3685682号
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、少なくともn型窒化物半導体からなるn側光ガイド層と、活性層と、p型窒化物半導体からなるp側光ガイド層と、p型窒化物半導体からなるp側クラッド層と、を順に有する窒化物半導体レーザ素子において、 前記窒化物半導体レーザ素子は、前記活性層と前記p側光ガイド層との間に、前記p側光ガイド層よりもバンドギャップエネルギーが大きいp側キャップ層を備え、 前記p側キャップ層及び前記p側クラッド層はMgがドープされていると共に、前記p側光ガイド層のMg濃度は、前記p側キャップ層及び前記p側クラッド層のMg濃度よりも小さく、 前記p側光ガイド層がストライプ状の突出部を有すると共に、該突出部の上に前記p側クラッド層を有し、該p側光ガイド層の突出部における膜厚が1μm以下であり、かつ前記p側光ガイド層において、突出部の高さが500Å以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (8件)
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-051232
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-053428
出願人：日亜化学工業株式会社
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-032106
出願人：日本電気株式会社
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