特許
J-GLOBAL ID：201103046036871893
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199717
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017742
特許番号：特許第4058590号
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンから成り、且つ 低抵抗率を有している半導体基板と、
前記基板の一方の主面上に形成された分布ブラッグ反射層から成り、且つ導電性を有している反射領域と、
発光機能を有するものであって前記反射領域の上に形成され、且つ主成分としてガリウムと窒素とを含む化合物半導体層を複数有している半導体領域と、
前記半導体領域の表面上に形成された第1の電極と、
前記基板の他方の主面形成された第2の電極と、
を備え、
前記反射領域は、相対的に低い屈折率を有する低屈折率領域と、前記低屈折率領域の屈折率よりも大きい屈折率を有し且つインジウムを含む窒化物半導体から成る高屈折率領域とを複数回繰り返して積層したものから成り、
前記低屈折率領域は、導電形決定不純物を含むAlZGa1-ZN(但し、Zは0≦Z≦0.5を満足する数値)から成り且つ量子学的なトンネル効果が生じない厚みを有している第1の層と、AlWGa1-WN(但し、WはW>Zを満足する数値)から成り且つ量子学的なトンネル効果が生じる厚みを有している第2の層とを複数回繰り返して積層したものから成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
