特許
J-GLOBAL ID:201103047254418811

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-297410
公開番号(公開出願番号):特開2001-118877
特許番号:特許第3765952号
出願日: 1999年10月19日
公開日(公表日): 2001年04月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】 主面に電極が形成された基材と、 前記基材上に直接積層され、主面に第1の電極パッドが形成された第1の半導体素子と、 前記第1の半導体素子上に直接積層され、主面に第2の電極パッドが形成された第2の半導体素子と、 前記第1の半導体素子上に配設され、主面に配線パターンが形成された再配線層と を有し、 前記第2の電極パッドと前記配線パターンとは第1のワイヤにより電気的に接続され、 前記第1の電極パッド上に形成された導電性部材よりなる第1のスペーサー部材と前記配線パターンとは第2のワイヤにより電気的に接続され、 前記第1のスペーサー部材と前記基材の電極とは第3のワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 25/08 Z ,  H01L 21/60 301 C
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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