特許
J-GLOBAL ID：201103047341521505
半導体スイッチング素子のゲート駆動回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352748
特許番号：特許第4432215号
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のためのゲート駆動回路において、
前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)をターンオンさせるときにオンされるターンオン用スイッチング素子(18)と、
前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)をターンオフさせるときにオンされるターンオフ用スイッチング素子(20)と、
前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のゲート電極にオン電圧を供給するための第1の出力端子(12a)及び当該ゲート電極にオフ電圧を供給するための第2の出力端子(12b)を有し、少なくとも第1の出力端子(12a)から出力されるオン電圧のレベルを変更可能に構成された直流電圧源(12)と、
前記ターンオン用スイッチング素子(18)がオンされた状態で前記直流電圧源(12)の第1の出力端子(12a)と前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のゲート電極との間に接続された状態となるターンオン用ゲート抵抗(19)と、
前記ターンオフ用スイッチング素子(20)がオンされた状態で前記直流電圧源(12)の第2の出力端子(12b)と前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のゲート電極との間に接続された状態となるターンオフ用ゲート抵抗(21)と、
前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のゲート電圧を検出する電圧検出手段(22)と、
ゲート制御タイミング信号に基づいて前記ターンオン用スイッチング素子(18)及びターンオフ用スイッチング素子(20)を選択的にオンさせるように設けられ、ターンオン用スイッチング素子(18)をオンさせるときには前記電圧検出手段(22)の検出電圧レベルに応じて前記直流電圧源(12)の第1の出力端子(12a)から出力されるオン電圧のレベルを変更する制御を行うゲート制御手段(23)とを備え、
前記ゲート制御手段(23)は、前記ターンオン用スイッチング素子(18)をオンさせた状態では、前記電圧検出手段(22)が検出するゲート電圧が第1の設定値とこれより高い値の第2の設定値との間にある期間に、前記直流電圧源(12)の第1の出力端子(12a)から出力されるオン電圧のレベルを一時的に低下させる制御を行い、
前記電圧検出手段(22)は、前記絶縁ゲート型半導体スイッチング素子(11)のゲート電圧変化率がミラー効果により一時的に低下する状態を、そのゲート電圧の微分値に基づいて検出可能に構成され、
前記第2の設定値は、前記電圧検出手段(22)が前記ゲート電圧変化率の一時的な低下を検出した時点でのゲート電圧に設定されることを特徴とする半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。
IPC (3件)：
H02M 1/08 ( 200 6.01)
, H03K 17/08 ( 200 6.01)
, H03K 17/56 ( 200 6.01)
H02M 1/08 A
, H03K 17/08 Z
, H03K 17/56 Z
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
