特許
J-GLOBAL ID：201103047799486717
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258902
特許番号：特許第3281612号
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 陽イオン及び陰イオンの両方にハロゲン原子を含むオニウム塩よりなる酸発生剤を有する化学増幅型レジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、Xe2 レーザ光、F2 レーザ光、Kr2 レーザ光、ArKrレーザ光又はAr2 レーザ光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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