特許
J-GLOBAL ID：201103048087509865
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094098
特許番号：特許第4568929号
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主表面及び該主表面の反対面である裏面を有し、単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の半導体層(2)と、
前記半導体層の表層部の所定領域に少なくとも1つ以上形成される第2導電型の第1のベース領域(3)と、
前記半導体層の表面部の所定領域に少なくとも1つ以上形成され、前記第1のベース領域よりも不純物濃度が高く、かつ、接合深さが深く形成されると共に、前記第1のベース領域に隣接して設けられた第2導電型の第2のベース領域(30)と、
前記ベース領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域(4)と、
前記第2のベース領域及び前記ソース領域と接触するように形成されたソース電極(10)と、
前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極(11)とを有する炭化珪素半導体装置であって、
前記第1のベース領域は第2導電型不純物の熱拡散により形成され、前記第1のベース領域と前記半導体層との接合部は、第2導電型不純物の濃度分布が緩やかに変化する傾斜型接合を成し、
前記第2のベース領域には不活性なイオン種であるCが注入されており、該第2のベース領域と前記半導体層との接合部は、第2導電型不純物の濃度分布が急峻に変化する階段型接合を成していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/22 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 658 A
, H01L 21/22 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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