特許
J-GLOBAL ID：201103049046601680
半導体素子の製造方法、および半導体素子、ならびに実装モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094093
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286304
特許番号：特許第3731378号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子(100)の電極部(101)面に絶縁化層(102)を配置する第1の工程と、
前記絶縁化層(102)と前記電極部(101)と半導体素子(100)とを貫通する貫通穴(103)をレーザーにより形成する第2の工程と、
前記貫通穴(103)の内壁部(104)を含む範囲に絶縁処理を施す絶縁処理層(105)を形成する第3の工程と、
前記電極部の絶縁層(102)を除去する第4の工程とを有し、
前記絶縁処理層(105)は熱可塑系樹脂を加熱溶融することにより形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
H01L 21/60 311 S
, H01L 25/08 Z
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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