特許
J-GLOBAL ID：201103049537550336

半導体光増幅器およびその製造方法

発明者：
佐々木 達也

佐々木 達也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157155
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349399
特許番号：特許第3428501号
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板のストライプ状の突部上面に形成された第一活性層,この第一活性層の下部に突設され、前記半導体基板の突部に設けられた溝に埋設された第二活性層,前記第一活性層の上部に突設された第三活性層,少なくとも前記半導体基板の上部と第一活性層の両端面を覆う電流ブロック層,前記第三活性層の少なくとも一部と接触するクラッド層及びこのクラッド層上部に形成されたキャップ層を少なくとも有するとともに、前記第一活性層,第二活性層及び第三活性層の前記ストライプ方向の端面である光入力部および光出力部において反射防止膜を少なくとも備え、かつ、前記第一活性層,第二活性層及び第三活性層に電流を注入する手段を備えている半導体光増幅器であって、前記第二活性層および前記第三活性層の横幅を前記第一活性層の横幅より狭くしたことを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件)：
H01S 5/50 610
FI (1件)：
H01S 5/50 610
引用特許：
出願人引用 (6件)
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