半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河宮治 , 石井久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127382
特許番号：特許第3582424号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの光出力を検出する検出器と、前記検出器によって検出された光出力に応じて前記半導体レーザ素子を駆動する駆動回路から構成される半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子は、基板の同一面側に、少なくともn型コンタクト層、n型クラッド層、n型ガイド層、活性層、p型ガイド層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順に積層され、前記p型コンタクト層及びn型コンタクト層に電極が形成されてなり、前記半導体レーザ素子の共振面全面と、前記n型コンタクト層の電極が形成されてなる面上及び当該面から上方の素子側面とに絶縁膜が形成され、前記n型コンタクト層又はn型クラッド層より下方の絶縁膜を含む外面全面が、金属膜からなる非透過膜によって覆われることにより、前記半導体レーザ素子周囲から放出される自然光の前記検出器への入射が抑制されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/028 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/028 , H01S 5/323 610

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176033 出願人：株式会社東芝
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-315816 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-042117 出願人：株式会社東芝

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