半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167742
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023576
出願日： 2009年07月16日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。【解決手段】基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して前記基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板上に形成した前記シリコン含有及びボロン含有膜をボロン含有及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有し、前記シリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、前記シリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を1サイクルとして前記サイクルを1回以上行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/24 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 P , C23C16/24 , H01L21/31 B

Fターム (43件)：

4K030AA03 , 4K030AA20 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AA20 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045BB01 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045EE13 , 5F045EE15 , 5F045EE17 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045HA16 , 5F045HA23 , 5F058BA04 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF32 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH03

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-000974 出願人：株式会社日立国際電気
リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-518759 出願人：マイクロンテクノロジー,インコーポレイテッド
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-177344 出願人：東京エレクトロン株式会社

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