特許
J-GLOBAL ID：201103054293267665
高誘電体薄膜コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109332
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299248
特許番号：特許第3471655号
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 配向性が(111)面に優先配向するペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の上下面に、配向性が(111)面に優先配向する面心立方晶構造を有するPt電極薄膜からなる上部電極及び下部電極を形成し、かつ前記下部電極は無定形構造あるいは結晶構造をもつ基体上に形成されている高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であって、基体上にDCマグネトロンスパッタ法、またはEB蒸着法を用いてPt電極薄膜を形成する工程と、前記Pt電極薄膜上にRFマグネトロンスパッタ法、またはECRマグネトロンスパッタ法を用いて高誘電体薄膜を形成する工程と、前記高誘電体薄膜上にDCマグネトロンスパッタ法、またはEB蒸着法を用いてPt電極薄膜を形成する工程とを有する高誘電体薄膜コンデンサの製造方法。
IPC (6件)：
H01G 4/33
, H01G 4/12 397
, H01G 4/12 400
, H01L 21/316
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01G 4/12 397
, H01G 4/12 400
, H01L 21/316 Y
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
