特許
J-GLOBAL ID：201103054544060534

フレキシブル・バンク区分アーキテクチャを有する同時動作フラッシュ・メモリ装置用のフレキシブルに区分された金属線セグメントを形成する方法

発明者：
ティアオ-ウア・クオ

ティアオ-ウア・クオ について

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笠 靖

笠 靖 について

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ナンシー・レオン

ナンシー・レオン について

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ジョニー・チェン

ジョニー・チェン について

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ミヒャエル・ファン・ブスキルク

ミヒャエル・ファン・ブスキルク について


出願人/特許権者：
スパンション エルエルシー

スパンション エルエルシー について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571457
特許番号：特許第4642234号
出願日： 1999年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 フレキシブル・バンク区分アーキテクチャを有する同時動作フラッシュ・メモリ装置用の金属線セグメント(10,12)を形成する方法であって、 (a)規定のギャップ間隔長をそれぞれ有する複数のギャップ(6a,6b,6c,...6i)によって分離された複数のベーシック金属層セグメント(2a,2b,2c,...2j)を設ける段階と、 (b)前記ベーシック金属層セグメント上に複数の金属オプション層セグメント(8a,8b,8c,...8h)を含む金属オプション層(8)を設ける段階とを含み、前記金属オプション層セグメントがそれぞれ、前記ベーシック金属層セグメント間のギャップのそれぞれのギャップ間隔長と少なくとも同じ長さを有し、前記金属オプション層セグメントが、前記ベーシック金属層セグメント間のギャップのうちの1つをオープン状態としたままいくつかのギャップと重なり、オープン状態とされたままの1つのギャップ以外のギャップ間に導電経路を形成し、それにより前記ベーシック金属層セグメントと前記金属オプション層セグメントとが共に、フレキシブル・バンク区分アーキテクチャを有する同時動作フラッシュ・メモリ装置用の第1及び第2の金属線セグメントを形成し、 前記ベーシック金属層セグメント上に前記金属オプション層を設ける段階の後で前記金属オプション層セグメントによってオープン状態とされたままの前記ベーシック金属層セグメント間の1つのギャップが、ベーシック金属層を、メモリ装置の上位メモリ・バンクと下位メモリ・バンクをそれぞれ支援することができる第1及び第2の金属線セグメントに分離するように位置決めされる、方法。
IPC (6件)：
H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/82 W ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 622 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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