金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFET

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田澤英昭 , 濱田初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-211635
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071517
出願日： 2010年09月22日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFETを提供する。【解決手段】集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ(fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。n型FinFETは、基板上の第一ゲルマニウムフィン、第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなる。p型FinFETは、基板上の第二ゲルマニウムフィン、第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体、及び、第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極からなる。第一ゲート電極と第二ゲート電極は、ゲルマニウムの固有エネルギーレベルに近い仕事関数を有する同一材料で形成される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上の第一ゲルマニウムフィン、前記第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、前記第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなるn型フィン電界効果トランジスタ(FinFET)と、前記基板上の第二ゲルマニウムフィン、前記第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体、及び、前記第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極からなるp型FinFETと、を備えた集積回路構造において、前記第一ゲート電極と前記第二ゲート電極は、ゲルマニウムの固有エネルギー(intrinsic energy)レベルに近い仕事関数(work function)を有する同一材料で形成されることを特徴とする集積回路構造。

IPC (3件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L27/08 321D , H01L29/78 301B , H01L29/78 301X , H01L27/08 321E , H01L27/08 321C

Fターム (46件)：

5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB20 , 5F048BC15 , 5F048BD01 , 5F048BD02 , 5F048BD04 , 5F048BD06 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BB05 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF10 , 5F140BF44 , 5F140BF47 , 5F140BG08 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK18 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-031770 出願人：株式会社東芝
ピン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-218400 出願人：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-023050 出願人：松下電器産業株式会社

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