薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041774
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216867
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】表面に凹部8を有する被処理体Wの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜16して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜18を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に凹部を有する被処理体の表面に薄膜を形成する形成方法において、前記凹部を含む前記被処理体の表面に埋め込み用の金属膜を形成して前記凹部を埋め込む埋め込み工程と、前記金属膜を覆うようにして前記被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜を形成する拡散防止膜形成工程と、前記被処理体をアニールするアニール工程と、を有することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , C23C 14/58 , C23C 16/56 , H01L 21/320

FI (4件)：

H01L21/90 A , C23C14/58 A , C23C16/56 , H01L21/88 B

Fターム (45件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029AA29 , 4K029BA02 , 4K029BB02 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029GA01 , 4K030BA01 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F033HH07 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033LL02 , 5F033LL07 , 5F033LL08 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033WW03 , 5F033XX05 , 5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-287089 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-120589 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-239197 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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