特許
J-GLOBAL ID：201103054936827434
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068630
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257227
特許番号：特許第3481899号
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に形成された絶縁膜上に,電極パッドを形成する第1工程と;前記絶縁膜上と前記電極パッド上に,前記電極パッドと電気的に接続される下地導電層を形成する第2工程と;下地導電性層上に,第1感光性樹脂膜を形成する第3工程と;前記第1感光性樹脂膜を露光および現像し,前記電極パッド上からバンプ電極形成予定位置に渡り,配線層形成用開孔を形成する第4工程と;前記配線層形成用開孔内に,前記下地導電層を介して前記電極パッドとバンプ電極とを電気的に接続する配線層を形成する第5工程と;前記第1感光性樹脂膜を除去せずに,前記第1感光性樹脂膜上と前記配線層上に,第2感光性樹脂膜を形成する第6工程と;前記第2感光性樹脂膜を露光および現像し,前記配線層上の前記バンプ電極形成予定位置に,前記配線層が露出するバンプ電極形成用開孔を形成する第7工程と;前記バンプ電極形成用開孔内に,前記配線層と電気的に接続される前記バンプ電極を形成する第8工程と;前記バンプ電極の形成後に,前記第1感光性樹脂膜と前記第2感光性樹脂膜とを除去する第9工程と;前記第1感光性樹脂膜と前記第2感光性樹脂膜の除去後に,前記配線層に覆われていない前記下地導電層を除去する第10工程と;を含み,前記第1感光性樹脂膜と前記第2感光性樹脂膜は,感光特性がネガ型の樹脂から成り;さらに,前記第1感光性樹脂膜は,前記第2感光性樹脂膜よりも前記下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ること;を特徴とする,半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/3205
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 604 M
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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