特許
J-GLOBAL ID：201103056278839426
荷電ビーム描画方法及び描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273691
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086485
特許番号：特許第3469568号
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】LSIパターンの一部のパターンを設けたマスク上で成形された荷電ビームをスキャンさせることによって、成形ビームよりも大きなパターンを試料上に転写するスキャン方式の荷電ビーム描画方法であって、前記マスクを保持してX,Y方向に移動可能なマスクステージの位置ずれ量を前記マスクよりも上流に位置する偏向系にフィードバックすることにより、前記マスク上の成形ビーム位置を補正する成形トラッキング工程と、前記試料を保持してX,Y方向に移動可能な試料ステージの位置ずれ量と前記マスクステージの位置ずれ量を前記マスクと試料の間に位置する偏向系にフィードバックすることにより、前記試料上のビーム位置を補正する対物トラッキング工程と、前記成形トラッキングの補正演算を行うにあたって、前記マスクステージの移動速度から補正演算に要する時間中の該ステージの移動量を予想してビーム位置の補正を行う成形トラッキング補正工程と、前記対物トラッキングの補正演算を行うにあたって、前記マスクステージ及び試料ステージの移動速度から補正演算に要する時間中の各ステージの移動量をそれぞれ予想してビーム位置の補正を行う対物トラッキング補正工程と、を含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, H01J 37/305
G03F 7/20 504
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 S
, H01L 21/30 541 J
