特許
J-GLOBAL ID:201103056775511981
変調回路及びそれを備えた半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-255066
公開番号(公開出願番号):特開2011-130424
出願日: 2010年11月15日
公開日(公表日): 2011年06月30日
要約:
【課題】変調回路の消費電力を低減する。【解決手段】変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、前記トランジスタは、水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、1×10-13A以下である。または、変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタと、ダイオードとを有し、前記負荷、前記トランジスタ、及び前記ダイオードは、アンテナの両端間に直列に接続されており、前記トランジスタは、水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、1×10-13A以下である。また、前記トランジスタのゲートに入力される信号により、当該トランジスタの導通・非導通が制御される。また、前記負荷は、抵抗、容量、または抵抗及び容量である。【選択図】図3
請求項(抜粋):
負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、
前記トランジスタは、水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体層を有し、
前記トランジスタのオフ電流は、1×10-13A以下であることを特徴とする変調回路。
IPC (3件):
H03C 1/36
, H01L 29/786
, G06K 19/07
FI (5件):
H03C1/36
, H01L29/78 618G
, H01L29/78 613Z
, G06K19/00 H
, H01L29/78 618B
Fターム (97件):
5B035AA05
, 5B035BB09
, 5B035CA01
, 5B035CA23
, 5F110AA05
, 5F110AA06
, 5F110BB03
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD24
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE27
, 5F110EE44
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HJ30
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HL26
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN05
, 5F110NN12
, 5F110NN14
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN36
, 5F110NN40
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP29
, 5F110PP35
, 5F110PP38
, 5F110QQ01
, 5F110QQ02
, 5F110QQ06
, 5F110QQ11
, 5J002AA01
, 5J002AA06
, 5J002BB01
, 5J002BB04
, 5J002FF02
引用特許:
引用文献:
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