特許
J-GLOBAL ID：201103058019161643
パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-067075
公開番号（公開出願番号）：特開2011-197587
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れ、線幅バラツキ(LWR)及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。【解決手段】 (ア)(A)実質的にアルカリ不溶性であるとともに、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物と、(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、並びに、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)(A)実質的にアルカリ不溶性であるとともに、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物と、(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/004
, G03F 7/038
, H01L 21/027
, G03F 7/32
G03F7/004 503A
, G03F7/038 601
, H01L21/30 502R
, G03F7/32
2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA05
, 2H096GA03
, 2H125AF17P
, 2H125AF36P
, 2H125AF52P
, 2H125AF53P
, 2H125AF55P
, 2H125AH12
, 2H125AH14
, 2H125AH15
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ16X
, 2H125AJ16Y
, 2H125AJ37Y
, 2H125AJ63X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ67X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AM10P
, 2H125AM22P
, 2H125AM23P
, 2H125AM27P
, 2H125AM66P
, 2H125AM99P
, 2H125AN23P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN64P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125FA05
