特許
J-GLOBAL ID:201103058235638918
量子波干渉層を有した受光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤谷 修
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-359974
公開番号(公開出願番号):特開2000-236109
特許番号:特許第3544160号
出願日: 1999年12月17日
公開日(公表日): 2000年08月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層を有し、入力光を電気に変換する受光素子において、前記第1層と前記第2層の各層の厚さを、各層を伝導するキャリアの、各層における量子波の波長の4分の1の偶数倍に設定した量子波干渉層を、前記第2層よりもバンド幅の狭いキャリア閉込層を介在させて複数配設したことを特徴とする量子波干渉層を有した受光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (10件)
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量子波干渉層を有したダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-123483
出願人:カナレ電気株式会社
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特開平4-355976
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特開平4-252081
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特開平1-302777
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量子井戸型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-116782
出願人:三菱電機株式会社
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量子波干渉層を有したダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-123482
出願人:カナレ電気株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-045317
出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-022551
出願人:日本電気株式会社
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負性抵抗素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-098679
出願人:オムロン株式会社
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半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-048254
出願人:ソニー株式会社
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審査官引用 (10件)
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量子波干渉層を有したダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-123483
出願人:カナレ電気株式会社
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特開平4-355976
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特開平4-252081
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特開平1-302777
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量子井戸型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-116782
出願人:三菱電機株式会社
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量子波干渉層を有したダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-123482
出願人:カナレ電気株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-045317
出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-022551
出願人:日本電気株式会社
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負性抵抗素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-098679
出願人:オムロン株式会社
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半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-048254
出願人:ソニー株式会社
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