特許
J-GLOBAL ID：201103059031098805
III族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法
出願人/特許権者：
豊田合成株式会社
豊田合成株式会社 について
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274459
特許番号：特許第3846150号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 p型のIII族窒化物系化合物半導体を有する素子において、
前記p型のIII族窒化物系化合物半導体上に形成された、窒化タンタルチタン(TayTi1-yNz、y≠0,1)からなる電極を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
IPC (8件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 29/43 ( 200 6.01)
, H01S 5/042 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, C30B 29/38 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/285 S
, H01L 29/46
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
III族窒化物半導体およびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平10-128471 出願人：富士電機株式会社 -
III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平9-125238 出願人：富士電機株式会社 -
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平5-124890 出願人：日亜化学工業株式会社
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