特許
J-GLOBAL ID:201103060075326129

マイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 雅紀
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-298358
公開番号(公開出願番号):特開2000-299265
特許番号:特許第4346175号
出願日: 1999年10月20日
公開日(公表日): 2000年10月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 サービス領域と、 前記サービス領域に連結される作業領域と、 前記作業領域とマイクロエレクトロニクス素子を移送し合う移送領域と、 前記移送領域と連結され、マイクロエレクトロニクス素子が処理されるプロセス領域と、 前記移送領域から前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧と比較して前記プロセス領域の空気圧を高く維持する空気調節手段と、 前記プロセス領域にのみ空気を供給する空気供給装置と を備え、 前記作業領域および前記サービス領域の上側に連結される上部プレナムと、 前記作業領域および前記サービス領域の下側に連結され、前記上部プレナムからの空気が前記作業領域およびサービス領域を経て流入する下部プレナムと、 前記サービス領域の空気圧と比較して前記作業領域の空気圧を高く維持し、前記サービス領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動と比較して、前記作業領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動量がさらに多くなるように誘導する手段と、 をさらに備えることを特徴とするマイクロエレクトロニクス製造システム。
IPC (3件):
H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/02 Z ,  H01L 21/30 503 G ,  H01L 21/304 648 L
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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