特許
J-GLOBAL ID：201103061470113130
半導体装置の製造方法、半導体装置およびウエハ積層構造物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-223266
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071441
出願日： 2009年09月28日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】半導体チップの角部の損傷を防止することができる、半導体装置およびその製造方法、ならびにその半導体装置の製造に用いられるウエハ積層構造物を提供する。【解決手段】第1の半導体ウエハW1および第2の半導体ウエハW2は、互いの表面が対向した状態で、アンダーフィルUを挟んで接合される。この接合後、第2の半導体ウエハW2の裏面が研削される。この研削により、半導体ウエハW2の裏面に、溝G2に入り込んだアンダーフィルUが露出する。その後、第1の半導体ウエハW1の裏面が研削される。この裏面研削により、半導体ウエハW1の裏面に、溝G1に入り込んだアンダーフィルUが露出する。そして、ダイシングラインL上でダイシングされ、半導体装置が得られる。【選択図】図2Q
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップの集合体である第1および第2の半導体ウエハの各表面に、各半導体チップ間に設定されたダイシングライン上を延び、前記ダイシングラインよりも幅広な溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程後、前記第1および第2の半導体ウエハを、互いの表面が対向するように配置する配置工程と、
前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとの間を、アンダーフィルにより封止する封止工程と、
前記配置工程および前記封止工程後、前記第1および第2の半導体ウエハの各裏面を少なくとも前記溝が露出するまで研削する研削工程と、
前記研削工程後、前記第1および第2の半導体ウエハならびにアンダーフィルを含む構造物を前記ダイシングライン上で切断するダイシング工程とを含む、半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L25/08 Z
, H01L21/78 Q
, H01L21/304 631
, H01L21/78 L
