特許

J-GLOBAL ID：201103061495913093

半導体装置及びその製造方法

発明者： 齋田 繁彦 ,  田中 正幸 ,  藤原 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185678
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009278
特許番号：特許第3998403号
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜上に、650度以下の温度でSi2Cl6を原料ガスとしてシリコン窒化膜を成膜する工程と、 前記シリコン窒化膜の成膜温度から150度から250度高く、且つ800度以下の温度で熱処理を行う工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開昭63-316477
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-326106   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-109734   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264951   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-064721   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359463   出願人：株式会社東芝