特許
J-GLOBAL ID：201103062040987702
半導体パワーモジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312641
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124400
特許番号：特許第3846699号
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 板状金属のヒートシンクの一方の主面に、熱伝導率が1.0〜7.5W/(m・K)であり、厚さが50〜150μmである絶縁樹脂層を備えて構成した金属絶縁板と、該金属絶縁板の前記絶縁樹脂層上に設けられたリードフレームとからなり、前記リードフレームは段差状の屈曲部を有し、前記屈曲部は前記ヒートシンクの主面の端部から2mm以上内側に位置し、かつ、前記ヒートシンク端部での前記リードフレームの浮き上がり寸法が1mm以上となるように屈曲し、前記金属絶縁板と前記リードフレームとが、厚さが10〜50μmである接着樹脂層を介してプレス接着されていることを特徴とする半導体パワーモジュール用回路基板。
IPC (5件)：
H01L 23/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/56 ( 200 6.01)
, H01L 23/50 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 23/28 B
, H01L 21/56 T
, H01L 23/50 Y
, H01L 25/04 C
