特許
J-GLOBAL ID：201103062361053094
単結晶製造方法及び単結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114599
特許番号：特許第4288792号
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一面に種結晶貼付部材(12b)が配設された容器(11、12a)を備えてなるるつぼ(1)を有し、前記種結晶貼付部材の表面に種結晶(5)を取付けると共に、前記るつぼ内の成長空間に成長させようとする単結晶の原料ガスを導入することにより、該種結晶の成長表面に単結晶を成長させる単結晶製造装置であって、
前記種結晶貼付部材は前記容器に囲まれていると共に、前記容器のうち該種結晶貼付部材を囲んでいる部分の端面との間に所定間隔の隙間をもって配置され、該隙間を通じて前記成長空間内の原料ガスの引き抜きが行えるように構成されており、
前記種結晶貼付部材のうち前記種結晶が取付けられる表面は、該種結晶貼付部材が配設された前記容器の一面よりも凹むように位置しており、前記種結晶を取付けたときに、前記種結晶と前記容器とによって、前記成長空間に露出しないようになっていることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 23/00 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
