特許
J-GLOBAL ID：201103062408215136
In-Ga-Zn系複合酸化物焼結体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-065915
公開番号（公開出願番号）：特開2011-195409
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるIGZO焼結体およびその製造方法を提供する。【解決手段】本In-Ga-Zn系複合酸化物焼結体は、ZnGaO2.5結晶で形成される第1相と、InGaO3結晶で形成される第2相と、In2O3結晶で形成される第3相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第1相、第2相および第3相の合計の相面積比率が70%以上100%以下である。本In-Ga-Zn系複合酸化物焼結体の製造方法は、ZnO粉末とGa2O3粉末とを混合して第1混合物を調製し、第1混合物を1150°C以上1300°C以下で仮焼してZnGaO2.5を含む粉末を形成し、ZnGaO2.5を含む粉末とGa2O3粉末とIn2O3粉末とを混合して第2混合物を調製し、第2混合物を焼結する方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ZnGaO2.5結晶で形成される第1相と、InGaO3結晶で形成される第2相と、In2O3結晶で形成される第3相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する前記第1相、前記第2相および前記第3相の合計の相面積比率が70%以上100%以下であるIn-Ga-Zn系複合酸化物焼結体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B35/00 P
, C23C14/34 A
4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030BA02
, 4G030CA01
, 4G030GA08
, 4G030GA27
, 4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029DC39
