特許
J-GLOBAL ID:201103063371418690
枚葉式プラズマアッシング装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-175567
公開番号(公開出願番号):特開2001-007087
特許番号:特許第3293801号
出願日: 1999年06月22日
公開日(公表日): 2001年01月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 減圧下の状態の容器に酸素などのガスを導入しグロ-放電により該ガスの原子を活性化し一枚の半導体基板に塗布されたレジストを除去する枚葉式プラズマアッシング装置において、一枚の前記半導体基板の中心部を点接触で支える複数の突起部材と前記半導体基板の周縁部を線接触で支える複数の円弧状突起部材とが表面に形成されたステ-ジと、このステ-ジの温度を一定に維持するヒ-タ内蔵のブロックと、前記ステ-ジの外周囲を囲むように配置するとともに前記半導体基板の周縁部を支え保持するリング状部材と、前記ステ-ジより上に前記リング状部材とともに前記半導体基板を持ち上げたり前記突起部材及び前記円弧状部材に前記半導体基板を載置したりする昇降ロッドと、前記レジストの剥離中に前記昇降ロッドを被せるスリ-ブとを備えることを特徴とする枚葉式プラズマアッシング装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065
, H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/68 N
, H01L 21/302 H
, H01L 21/302 B
引用特許:
出願人引用 (5件)
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静電チャック装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-146486
出願人:日電アネルバ株式会社
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半導体ウェハ温度制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-238013
出願人:日本電気株式会社
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エッチング電極
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-085538
出願人:日本真空技術株式会社
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審査官引用 (4件)