特許
J-GLOBAL ID：200903080693037432
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-126894
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277839
出願日： 2008年05月14日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】イオン注入を用いて炭化珪素を用いたMOSFETを作製する場合に、注入マスクがテーパ形状になること及び注入元素の横方向拡がりのために、高耐圧を維持するための高濃度p型ウエル領域と低抵抗にするための低濃度p型ウエル領域を、独立に簡単な製造方法で形成することが困難であった。【解決手段】幅Lpの開口部を有する第1注入マスク4を利用してイオン注入を行うことで、高濃度p型ウエル領域6を形成する。次に、幅Lpよりも大きな幅Ln(望ましくは領域6のイオンの横方向の拡がり範囲の2倍値を幅Lpに加えた値)の開口部を有する第2注入マスク8を用いたイオン注入を行うことで、n型ソース領域7を形成する。その上で、マスク10を用いたイオン注入により、n型ソース領域7の端部周辺部でありチャネルとなる領域2内に低濃度p型ウエル領域9を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素基板の主表面上に第一の幅で開口されて形成された第1注入マスクを介して第2導電型のイオンを注入することにより、前記炭化珪素基板の内部に高濃度第2導電型ウエル領域を形成する第1工程と、
前記炭化珪素基板の前記主表面上に前記第1注入マスクの開口部よりも大きな全体幅を有して形成された第2注入マスクを介して第1導電型のイオンを注入することにより、前記炭化珪素基板の前記高濃度第2導電型ウエル領域の前記主表面側に第1導電型半導体領域を形成する第2工程と、
前記炭化珪素基板の前記主表面上に形成された第3注入マスクを介して第2導電型のイオンを注入することにより、前記第1導電型半導体領域の断面横方向の周囲に前記第1導電型半導体領域に接する、前記高濃度第2導電型ウエル領域より第2導電型不純物濃度が低い、低濃度第2導電型ウエル領域を形成する第3工程とを備えたことを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652C
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652D
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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