特許
J-GLOBAL ID：201103063855825363
導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281568
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102326
特許番号：特許第3862900号
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ta-W系バリア膜を形成する為の材料であって、
ペンタクロロタンタルジエチルスルフィドアダクト、ペンタキスジメチルアミノタンタル、テトラキスジエチルアミノタンタル、エチルイミドトリスジエチルアミノタンタル、ブチルイミドトリスジエチルアミノタンタル、ペンタキスメチルエチルアミノタンタル、テトラキスメチルブチルアミノタンタル、及び前記化合物の誘導体の群の中から選ばれる一種又は二種以上のTaを持つ金属有機化合物と、
ヘキサジメチルアミノジタングステン、ヘキサメチルエチルアミノジタングステン、ヘキサジエチルアミノジタングステン、ブチルイミドビスブチルアミノタングステン、ビスプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及び前記化合物の誘導体の群の中から選ばれる一種又は二種以上のWを持つ金属有機化合物
とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。
IPC (8件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C01G 41/00 ( 200 6.01)
, C07F 9/00 ( 200 6.01)
, C07F 11/00 ( 200 6.01)
, C23C 16/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
H01L 21/285 C
, C01G 41/00 A
, C07F 9/00 Z
, C07F 11/00 C
, C23C 16/08
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 M
