特許
J-GLOBAL ID：201103063997422010

表示素子の修正装置

発明者：
萩原 良二

萩原 良二 について

, 
小山 喜弘

小山 喜弘 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306906
特許番号：特許第4031146号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 配線の少なくとも一部に透明導電膜を用い、絶縁膜の少なくとも一部に透明絶縁膜を用いている表示素子用基板を収容でき、真空雰囲気を形成できおよびエネルギービームを走行できる処理室と、 前記エネルギービームを発するエネルギービーム供給部と、 前記処理室内を排気する排気部と、透明導電膜形成用ガスを前記処理室に供給する第1のガス供給手段と、 透明絶縁膜形成用ガスを前記処理室に供給する第2のガス供給手段と、 前記基板の所定部分に透明導電膜を堆積させる場合は前記透明導電膜形成用ガスを前記所定部分に供給した状態で該所定部分に前記エネルギービームを照射する処理を実行し、また、前記基板の所定部分に透明絶縁膜を堆積させる場合は前記透明絶縁膜形成用ガスを前記所定部分に供給した状態で該所定部分に前記エネルギービームを照射する処理を実行する様に、前記エネルギービーム供給部、対応するガス供給手段を制御する制御部と を含むことを特徴とする表示素子の修正装置。
IPC (7件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  G02F 1/13 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 21/31 B ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 C ,  G09F 9/00 352 ,  G09F 9/30 348 A ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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