特許
J-GLOBAL ID：201103064633070778
研磨パッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
高島 一
, 土井 京子
, 鎌田 光宜
, 田村 弥栄子
, 山本 健二
, 村田 美由紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-020303
公開番号（公開出願番号）：特開2011-177884
出願日： 2011年02月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】半導体基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜や金属膜等を化学的機械的研磨する際などにおいて特に有用な研磨パッドであって、高い研磨速度が得られ、研磨均一性および平坦化性能にも優れる研磨パッドを提供すること。【解決手段】研磨層1の研磨側表面1aに、放射溝2と同心円溝3とを設ける。放射溝2と同心円溝3との交差部分が放射溝2に属するものであるとして、下記条件(A)および(B)を満たすように、放射溝2と同心円溝3とを形成し、研磨パッドとする。 (A)研磨側表面において、放射溝の面積(s1)と同心円溝の面積(s2)との和(s1+s2)に占める、放射溝の面積(s1)の割合が、8〜17%である。 (B)研磨側表面において、該研磨側表面の面積(S)に占める、放射溝の面積(s1)と同心円溝の面積(s2)との和(s1+s2)の割合が、18〜25%である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも研磨層を有する研磨パッドであって、
研磨層の研磨側表面には、放射溝と同心円溝とが、中心を共有しかつ互いに交差するように開口しており、
放射溝と同心円溝との交差部分が放射溝に属するものであるとして、これら放射溝と同心円溝とが、下記条件(A)および(B)を満たすことを特徴とする研磨パッド。
(A)研磨側表面において、放射溝の面積(s1)と同心円溝の面積(s2)との和(s1+s2)に占める、放射溝の面積(s1)の割合が、8〜17%である。
(B)研磨側表面において、該研磨側表面の面積(S)に占める、放射溝の面積(s1)と同心円溝の面積(s2)との和(s1+s2)の割合が、18〜25%である。
IPC (2件)：
FI (4件)：
B24B37/00 T
, H01L21/304 622F
, H01L21/304 622E
, B24B37/00 K
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AC04
, 3C058CA05
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA17
, 5F057AA24
, 5F057BA15
, 5F057BA21
, 5F057CA12
, 5F057DA02
, 5F057EB03
, 5F057EB08
, 5F057FA41
, 5F057GA07
