特許
J-GLOBAL ID：201103064667537853

半導体装置及びその作製方法

発明者：
鎌田 康一郎

鎌田 康一郎 について

, 
伊藤 良明

伊藤 良明 について

, 
王丸 拓郎

王丸 拓郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-090686
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243959
出願日： 2011年04月15日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
【課題】半導体装置の作製工程数を減少させること、半導体装置の歩留まりを向上させること、半導体装置の作製コストを低減することを課題とする。【解決手段】基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第1のトランジスタと、当該第1のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第2のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に設けられた第1の単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタと絶縁層を介して設けられ、第1の酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第2のトランジスタと、 前記絶縁表面に設けられた第2の単結晶半導体層と、前記第1の酸化物半導体層と同じ材質でなる第2の酸化物半導体層とが積層された整流素子と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/861 ,  H01L 27/00 ,  H01L 21/268
FI (11件)：
H01L27/06 102A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/12 B ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/91 D ,  H01L27/00 301A ,  H01L21/268 F
Fターム (124件)：
5F048AA01 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA09 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD09 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048CB01 ,  5F048CB04 ,  5F048DA25 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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