特許
J-GLOBAL ID：200903097273622496

RFIDタグを製造する方法およびRFIDタグを用いて形成される機構

発明者：
ジェームス モンタギュー クリーブス

ジェームス モンタギュー クリーブス について

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ジェイ デビン マッケンジー

ジェイ デビン マッケンジー について

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アルバンド カマス

アルバンド カマス について


出願人/特許権者：
コヴィオ インコーポレイテッド

コヴィオ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-186310
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059880
出願日： 2006年07月06日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】RFIDタグおよびRFIDタグ製造方法を提供する。【解決手段】RFID装置は、(1)金属アンテナおよび/またはインダクタ、(2)集積回路を支持し、前記金属アンテナおよび/またはインダクタから前記集積回路を絶縁する、前記金属アンテナおよび/またはインダクタ上に形成された誘電体層、(3)前記誘電体層上に形成された、同じ層を少なくとも1つ有する複数のダイオードおよび複数のトランジスタ、(4)前記金属アンテナおよび/またはインダクタおよび前記複数のダイオードの少なくとも一部と電気的に接続されている複数のコンデンサであって、前記複数のダイオード、および/または、前記複数のダイオードおよび前記複数のトランジスタとのコンタクトと同じ層を少なくとも1つ有する複数のコンデンサを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
RFID装置用集積回路を製造する方法であって、 a)シリコンを含む第1インクを用いて、誘電体層の第1表面上に少なくとも1つの第1半導体層素子を形成し、前記誘電体層は電気的にアクティブな基板上に形成されており、前記第1半導体層素子はコンデンサプレート、トランジスタのチャネル領域および第1ダイオード層のうち少なくとも1つを備え、 b)シリコンを含む第2インクを用いて、前記第1半導体層素子のうち少なくとも1つの上および前記誘電体層の前記第1表面に、前記第1半導体層素子とは異なる第2半導体層素子を少なくとも1つ形成し、前記第2半導体層素子は、第2ダイオード層、トランジスタのソース端末およびドレイン端末(前記第1インクによって前記トランジスタのチャネル領域を形成する場合)および前記トランジスタのチャネル領域(前記第1インクによって前記トランジスタのチャネル領域を形成しない場合)のうち少なくとも1つを備え、 c)少なくとも1つの金属素子を、前記第1半導体層素子および前記第2半導体層素子のうち少なくとも1つの上に形成し、前記金属素子は金属コンタクト、ショットキダイオードコンタクト、第2コンデンサプレートおよび金属ゲート(前記第2半導体層素子が前記トランジスタのソース端末およびドレイン端末を備えない場合)のうち少なくとも1つを備える 方法。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08
FI (9件)：
H01L29/78 613Z ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/04 L ,  H01L27/04 C ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 331E
Fターム (63件)：
5B035AA04 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5F038AC03 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB10 ,  5F152CC02 ,  5F152CC05 ,  5F152CD29 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152CE18 ,  5F152CE21 ,  5F152CE28 ,  5F152FF01 ,  5F152FF21
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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