特許
J-GLOBAL ID：201103066787052244
半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216351
特許番号：特許第4059603号
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 強誘電体キャパシタ形成のための半導体構造上に第1導電膜を形成する第1ステップと、
前記第1導電膜上に二層ぺロブスカイト構造を有する強誘電体膜を形成する第2ステップと、
前記強誘電体膜の核の生成のための急速熱処理を実施する第3ステップと、
前記強誘電体膜上にキャパシタの第2導電膜を形成する第4ステップと、
前記第2導電膜、前記強誘電体膜及び前記第1導電膜を選択的に蝕刻して前記強誘電体キャパシタを形成する第5ステップと、
前記第5ステップの蝕刻工程による損傷を補償するとともに前記強誘電体膜の結晶粒成長のための熱処理を実施する第6ステップと、
前記第6ステップが完了した全体構造上に層間絶縁膜を形成して、前記層間絶縁膜を平坦化流動させるとともに前記強誘電体膜の結晶粒成長のための熱処理を実施する第7ステップと、
前記層間絶縁膜を蝕刻して前記第2導電膜を露出させて、前記層間絶縁膜の蝕刻の際発生した損傷を補償するとともに前記強誘電体膜の結晶粒成長のための熱処理を実施する第8ステップとを含むことを特徴とし、
前記第3ステップは、700°C乃至800°Cの温度のO2雰囲気で0.4分乃至0.6分間実施することを特徴とし、
前記第6ステップは、700°C乃至800°Cの温度のO2雰囲気で25分ないし35分間実施することを特徴とし、
前記第7ステップで、前記熱処理は750°C乃至850°Cの温度のN2雰囲気で25分乃至35分間実施することを特徴とし、
前記第8ステップで、前記熱処理は700°C乃至800°Cの温度のO2雰囲気で25分乃至35分間実施することを特徴とする半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/10 444 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
