特許
J-GLOBAL ID:201103068088691021
低温焼成セラミック回路基板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-287097
公開番号(公開出願番号):特開2003-095755
特許番号:特許第4599783号
出願日: 2001年09月20日
公開日(公表日): 2003年04月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 導体ペーストで電極パターンを形成した少なくとも有機バインダー、可塑剤を含む低温焼成セラミックからなるセラミックグリーンシートを複数枚重ね合わせた積層体の両面に、前記低温焼成セラミックの焼成温度では焼結しない拘束用セラミックグリーンシートを積層する工程と、
前記積層体の両面に設けられた各々の前記拘束用セラミックグリーンシートの表面にSiC、BN、AlN、BeO、MoSi2、TiN、ZrB2 から選ばれた少なくとも1種類のセラミック粒子からなり、熱伝導率が5W/m・K以上で、気孔率が10%以上でしかも気孔が連通する連通気孔を備え、曲げ強度が30MPa以上有するセラミックセッターを載置する工程と、
前記セラミックセッターで挟持した前記積層体及び拘束用セラミックグリーンシートを加圧しながら加熱し、前記積層体及び拘束用セラミックグリーンシートの脱バインダー処理を行う工程と、
前記積層体及び拘束用セラミックグリーンシートを加圧しながら更に加熱し、該積層体を焼成する工程とを有し、
前記セラミックセッターには側面部に空洞を備え、該空洞を介して前記脱バインダー処理を行うことを特徴とする、低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
IPC (4件):
C04B 35/645 ( 200 6.01)
, C04B 35/64 ( 200 6.01)
, C04B 35/638 ( 200 6.01)
, H05K 3/46 ( 200 6.01)
FI (5件):
C04B 35/64 N
, C04B 35/64 J
, C04B 35/64 301
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 Y
引用特許:
出願人引用 (5件)
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セラミックス基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-146927
出願人:株式会社住友金属セラミックス
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多孔質SiC焼結体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-299839
出願人:東芝セラミックス株式会社
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セラミック基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-279057
出願人:株式会社住友金属エレクトロデバイス
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審査官引用 (5件)
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セラミックス基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-146927
出願人:株式会社住友金属セラミックス
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多孔質SiC焼結体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-299839
出願人:東芝セラミックス株式会社
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セラミック基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-279057
出願人:株式会社住友金属エレクトロデバイス
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