3次元デバイス構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺三彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007503
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204479
特許番号：特許第3380880号
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被成膜対象物に対し、絶縁体溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させることにより絶縁膜を選択的に形成する工程と、シランカップリング剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させ、表面活性化処理し、化学メッキすることにより金属膜を選択的に形成する工程とを所定の組合せ及び順序で実行する3次元デバイス構造の形成方法であって、前記絶縁膜及び金属膜が形成される被形成面が半導体で構成された被成膜対象物に対し、所定段階でドーパントを含む半導体高濃度拡散剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱することによって、前記ドーパントを半導体中に選択的に拡散させることを特徴とする3次元デバイス構造の形成方法。

IPC (2件)：