ピッチマルチプリケーションされた材料のループの一部分を分離するための方法およびその関連構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野村泰久 , 大菅義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-539709
公開番号（公開出願番号）：特表2011-507308
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

半導体材料からなる途切れのないループの様々な部分を、お互いから電気的に分離する。幾つかの実施形態においては、ループの端部を、ループの中間部分から電気的に分離する。幾つかの実施形態においては、端部において互いに接続された二つの区間を有する半導体材料のループを、ピッチマルチプリケーションプロセスによって形成するが、このプロセスでは、スペーサのループはマンドリルの側壁に接して形成される。マンドリルを除去し、マスキング材料のブロックを、スペーサループの少なくとも一つの端部に置く。幾つかの実施形態においては、マスキング材料のブロックを、スペーサループの各端部に置く。スペーサおよびブロックによって画定されるパターンを、半導体材料の層へと転写する。ブロックは、全ループを電気的に接続する。選択ゲートを、ループの各区間に沿って形成する。ブロックは、ソース/ドレインとして機能する。選択ゲートをオフ状態にバイアスして、ループの区間の中間部分からブロックへの電流を防ぎ、それによって、ループの端部から中間部分を電気的に分離し、また、ループの異なる区間をお互いから電気的に分離する。

請求項（抜粋）：

半導体材料で形成されたループを有する基板を提供するステップであって、前記ループは、少なくとも一つのループ端部において互いに結合され、互いに略平行であり、水平方向に細長くなった対部分によって画定される、ステップと、前記細長い部分のうちの第一の区域を、前記細長い部分の第二の区域から電気的に分離するために、前記ループに沿って第一のトランジスタを形成するステップと、を含み、前記ループの対が、前記第一のトランジスタのアクティブ領域を形成する、ことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/76

FI (4件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/76 L , H01L21/76 S

Fターム (29件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AC04 , 5F032BB01 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA25 , 5F032DA26 , 5F032DA30 , 5F083AD00 , 5F083CR00 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP53 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083JA04 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD21 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-002975 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-099540 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
特開平4-014255

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