特許
J-GLOBAL ID:201103068689168105

欠陥レビュー装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 鈴木 市郎 ,  武 顕次郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-294482
公開番号(公開出願番号):特開2002-323458
特許番号:特許第4014379号
出願日: 2001年09月26日
公開日(公表日): 2002年11月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】予め他の検査装置で検出された半導体ウエハ上に形成された電子回路パターンの欠陥をレビューする装置において、 半導体ウエハのレイアウトパターンに基づいて被検査対象領域を同一パターンの繰り返しからなるセル部と該セル部以外の非セル部に分割する検査領域設定手段と、 該検査領域設定手段によって設定された該セル部と該非セル部に対して、該セル部で欠陥を検出する場合には、欠陥のないセルの画像を参照画像として事前に一度撮像して記憶しておき、予め他の検査装置で検出されて位置情報が既知の欠陥毎に、該位置情報が既知の欠陥を含む領域を撮像して得られた画像を記憶されている該参照画像と比較して欠陥を検出するように検査条件を設定し、該非セル部で欠陥を検出する場合には、予め他の検査装置で検出されて位置情報が既知の欠陥毎に、該位置情報が既知の欠陥を含む領域と該領域に対応する欠陥を含まない領域とを撮像して、該欠陥を含む領域の検査画像と欠陥を含まない領域の参照画像とを取得し、取得した該検査画像と該参照画像とを比較して欠陥の画像を抽出するように検査条件を設定する検査条件設定手段と、 該検査領域設定手段によって設定された該セル部と該非セル部とに対して、該検査条件設定手段によって設定した検査条件で予め他の検査装置で検出されて位置情報が既知の欠陥の画像の抽出を実行する検査実行手段と を有することを特徴とする欠陥レビュー装置。
IPC (4件):
G01N 21/956 ( 200 6.01) ,  G01B 11/30 ( 200 6.01) ,  G01N 23/225 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (4件):
G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 A ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/66 J
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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