特許
J-GLOBAL ID：201103069293321900
不揮発性半導体記憶装置を含む半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021930
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231830
特許番号：特許第3496932号
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】不揮発性半導体記憶装置が複数の行および列に格子状に配列されたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に第1ゲート絶縁層を介して形成されたワードゲートと、前記半導体層に形成されたソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層と、前記ワードゲートの一方の側面に沿って形成されたサイドウォール状の第1コントロールゲートであって、前記半導体層に対して第2ゲート絶縁層を介して、かつ、前記ワードゲートに対してサイド絶縁層を介して配置された前記第1コントロールゲートと、前記ワードゲートの他方の側面に沿って形成されたサイドウォール状の第2コントロールゲートであって、前記半導体層に対して第2ゲート絶縁層を介して、かつ、前記ワードゲートに対してサイド絶縁層を介して配置された前記第2コントロールゲートと、を含み、1つの前記不純物拡散層を共有し行方向に隣り合う2つの不揮発性半導体記憶装置は、該不純物拡散層を挟んで対向する1組の第1コントロールゲートと第2コントロールゲートとが、該不純物拡散層を囲むように連続して形成され、かつ、1つの共通コンタクト部に接続されている、半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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