特許
J-GLOBAL ID：201103069846896736

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
森 日出樹

森 日出樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248870
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196546
特許番号：特許第4686829号
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の基板と、 前記基板上に設けられた第2導電型のエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層中に設けられた第2導電型の不純物を含む第1および第2のウェル領域と、 前記第1のウェル領域中に設けられ、前記第1のウェル領域より高濃度の第2導電型の不純物を含むソース領域と、 前記第2のウェル領域中に設けられ、前記第2のウェル領域より高濃度の第2導電型の不純物を含むドレイン領域と、 前記ソース領域に接続するソース電極と、 前記ドレイン領域に接続するドレイン電極と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられたチャネル領域と、 前記チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有し、 前記チャネル領域は、少なくとも第1導電型の第3のウェル領域に含まれ、 前記ソース領域及び/または前記ドレイン領域と前記ゲート電極との間を除く前記エピタキシャル層中に、前記チャネル領域に近接して設けられた第1導電型のチャネルストッパー層を少なくとも有し、 前記チャネルストッパー層の前記チャネル領域に近い第1の領域の不純物濃度が、前記チャネル領域から遠い第2の領域の不純物濃度より低い 半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 27/08 331 B ,  H01L 27/08 331 C ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 R
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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