特許
J-GLOBAL ID：201103070143843205
3次元構造物の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116385
公開番号（公開出願番号）：特開2002-307397
特許番号：特許第4501307号
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】被処理体の表面に3次元構造物を形成する3次元構造物の形成方法であって、
前記被処理体の表面を覆うように、第1の前駆膜を形成する第1の工程と、
前記第1の前駆膜に第1の開口を選択的に形成することにより、第1の薄膜パターンを形成する第2の工程と、
前記第1の開口に、犠牲膜を選択的に形成する第3の工程と、
少なくとも前記第1の薄膜パターンおよび前記犠牲膜を覆うように、第2の前駆膜を形成する第4の工程と、
前記第2の前駆膜のうちの前記第1の開口に対応する部分に第2の開口を選択的に形成することにより、第2の薄膜パターンを形成する第5の工程と、
前記犠牲膜を選択的に除去することにより、前記被処理体の表面に、前記第1の薄膜パターンおよび前記第2の薄膜パターンを含んで構成された前記3次元構造物を形成する第6の工程と
を含み、
前記第1の工程および前記第4の工程において、
アーク放電のエネルギーを利用してカソードを蒸発させることにより成膜イオンを発生させ、この成膜イオンにより前記第1の前駆膜および前記第2の前駆膜をそれぞれ形成し、
前記第2の工程および前記第5の工程において、
エッチングイオンを含むプラズマを発生させ、このプラズマ中のエッチングイオンにより前記第1の開口および前記第2の開口をそれぞれ形成する
ことを特徴とする3次元構造物の形成方法。
IPC (2件)：
B81C 1/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
B81C 1/00
, H01L 21/302 105 Z
